文献

J-GLOBAL ID：201702235770551447   整理番号：17A0509885

(001)シリコン上に直接成長した室温O帯DFBレーザアレイ

Room Temperature O-band DFB Laser Array Directly Grown on (001) Silicon

著者 (8件)： TIAN Bin (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  WANG Zhechao (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  WANG Zhechao (IMEC, Heverlee, BEL) ,  PANTOUVAKI Marianna (IMEC, Heverlee, BEL) ,  ABSIL Philippe (IMEC, Heverlee, BEL) ,  VAN CAMPENHOUT Joris (IMEC, Heverlee, BEL) ,  MERCKLING Clement (IMEC, Heverlee, BEL) ,  VAN THOURHOUT Dries (Ghent Univ., Gent, BEL)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 559-564  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特別な基板や厚いバッファ層を使用しないで,III-V半導体である高品質のInPを(001)シリコン基板上に成長した前報に続き,ここでは選択成長プロセスを用いて成長した高品質InPテンプレート上に光学的に活性な欠陥を含まない高品質のInGaAs層を成長し,さらに最上面に一次グレーチングを施して分布帰還(DFB)型レーザ素子を作製してサイドモードを抑えた(25dB)fwhm=1.8nmの単一波長(1354nm)のレーザ動作を実証した。DFBのグレーチング周期を変えたレーザアレイを作製しグレーチング周期に対するレーザ波長の線形な変化を確かめ,その傾きが妥当な誤差(2.5%)で一致する制御性を示した。さらに実証済みのInPレーザに比し65%の閾値低減を観測した。これらはシリコン基板上の光配線に好ましいO帯のインプレーンモノリシックフォトニックICの実現に向けた重要な結果である。

シソーラス用語： *分布帰還形レーザ ,  *ウエハ【IC】 ,  化合物半導体 ,  リン化インジウム ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  選択成長 ,  蓋 ,  光ポンピング ,  閾値 ,  *レーザアレイ ,  *半導体レーザ ,  結晶成長 ,  *ヘテロエピタクシー ,  ケイ素
準シソーラス用語： *DFBレーザ ,  III-V族半導体 ,  *InGaAsP ,  InP ,  グレーチング ,  *シリコン基板 ,  シリコン

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  成長 ,  室温 ,  DFBレーザ ,  アレイ