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J-GLOBAL ID：201702235828756349   整理番号：17A1569860

デュアルゲート両極性CNTFET回路設計のための閉形式モデル【Powered by NICT】

Closed-form model for dual-gate ambipolar CNTFET circuit design

著者 (2件)： Hu Xuan (Department of Electrical Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080) ,  Friedman Joseph S. (Department of Electrical Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 両極性カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNTFET)を通した電流は,二つの独立したゲートにより制御され,表現力の高いX ORベースの論理回路を可能にする。効率的な回路設計を促進するためには,これらのデュアルゲート両極性CNTFETのための使いやすいSPICE互換モデルを開発することが重要である。本論文では,実験的に実証した挙動に適合する閉形式モデルを紹介した。このモデルを用いて,コンパクトな論理のための両極性を利用したカスケード二重ゲートCNTFET論理回路の最初のシミュレーションに適用した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *回路設計 ,  *モデル ,  論理回路
準シソーラス用語： 表現力 ,  *閉形式 ,  *CNTFET ,  *両極性 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： デュアルゲート ,  両極性 ,  CNTFET ,  回路設計 ,  閉形式 ,  モデル