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J-GLOBAL ID：201702235849154647   整理番号：17A0650709

光励起キャリアによる(In,Ga)As/GaAs量子ドットのポーラロン誘起格子歪

Polaron-induced lattice distortion of (In,Ga)As/GaAs quantum dots by optically excited carriers

著者 (15件)： TIEMEYER S (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  BOMBECK M (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  GOEHRING H (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  PAULUS M (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  STERNEMANN C (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  NASE J (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  WIRKERT F J (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  MOELLER J (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  BUENING T (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  O H Seeck (Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY, Hamburg, DEU) ,  REUTER D (Univ. Paderborn, Paderborn, DEU) ,  REUTER D (Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  WIECK A D (Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  BAYER M (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  TOLAN M (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 42  ページ： 425702,1-7  発行年： 2016年10月21日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,高分解能X線回折(XRD)による周囲GaAs結晶マトリックス上の(In,Ga)As量子ドット(QDs)に対する光学的に注入されたキャリアの影響について報告した。XRD実験は,(001)配向GaAs基板上に成長した(In,Ga)As/GaAs QDs多層構造について実施した。最大出力1Wの532nm波長での放射を供給するダイオード励起,連続波,および周波数倍増Nd:YAGレーザにより,光励起を行った。著者等は,等方性格子延長上に重ね合わされた[001]結晶軸に沿って増強した伸張による正方格子拡張を見出し,等方的寄与は,励起誘起格子加熱から生じ,フェムトメートルスケールでの正方格子拡張は,量子ドット中に捕獲されたキャリアによるポーラロン形成に起因することを明らかにした。

シソーラス用語： *光ポンピング ,  *キャリア ,  *量子ドット ,  基板 ,  *ポーラロン ,  *X線回折 ,  固体包有物 ,  *格子歪 ,  多層構造 ,  Nd-YAGレーザ ,  結晶格子 ,  正方格子 ,  結晶成長 ,  構造物
準シソーラス用語： *光励起 ,  *InAs量子ドット ,  GaAs基板 ,  *高分解能X線回折 ,  埋込み構造物

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  分子と光子の相互作用  (BH06120R) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光励起 ,  キャリア ,  Ga ,  GaAs ,  量子ドット ,  ポーラロン ,  誘起 ,  格子歪