文献

J-GLOBAL ID：201702235974359887   整理番号：17A0885768

金属 半導体 金属不均一相MoS_2における非対称接合【Powered by NICT】

Asymmetric Junctions in Metallic-Semiconducting-Metallic Heterophase MoS₂

著者 (2件)： Saha Dipankar (Department of Electronic Systems Engineering, Nano-Scale Device Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bengaluru, India) ,  Mahapatra Santanu (Department of Electronic Systems Engineering, Nano-Scale Device Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2457-2460  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 源の対称性のチャネルとドレイン-チャネル接合を金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のユニークな特性,先端技術を用いたサブデカナノメータチャネル長デバイスを実現する一方保蔵することを必要とするものである。実験結果駆動原子論的モデリング技法を用いて,このような対称性は原子的に薄い相人工MoS_2ベースMOSFETに保存されないかもしれないことを示した。半導体相(チャネル)は二種の金属相(ソースとドレイン)の間に挟まれた場合は相境界(βおよびβ*)で二つの異なる原子パターンに起因する。βおよびβ*界面を構成する二つの独立した不均一相構造の幾何学的に最適化された原子モデルを開発し,密度汎関数理論nonequilibriumGreenの関数形式を用いてその電気特性を調べた。がさらにこれらのプレーナ素子の透過に及ぼす半導体ドーピングの影響を研究し,ドーピング濃度に関係なく,これらのヘテロ相構造は非対称障壁高さを示すことが分かった。著者らの発見は,このような先進的なトランジスタを用いた集積回路を設計するために有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気特性 ,  チャネル ,  *半導体 ,  酸化物 ,  原子モデル ,  *非対称性 ,  界面 ,  密度汎関数法 ,  モデリング ,  対称性 ,  MOSFET
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  半導体ドーピング ,  相構造 ,  チャネル長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 不均一 ,  非対称