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J-GLOBAL ID：201702236290008371   整理番号：17A1307624

光触媒活性を促進用のp-nホモ接合を有する酸素誘起Bi⁵⁺自己ドープBi₄V₂O₁₁

Oxygen-Induced Bi⁵⁺-Self-Doped Bi₄V₂O₁₁ with a p-n Homojunction Toward Promoting the Photocatalytic Performance

著者 (7件)： LV Chade (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  CHEN Gang (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  ZHOU Xin (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  ZHANG Congmin (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  WANG Zukun (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  ZHAO Boran (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  LI Danying (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 28  ページ： 23748-23755  発行年： 2017年07月19日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-nホモ接合を有する酸素誘起Bi⁵⁺自己ドープBi₄V₂O₁₁(Bi⁵⁺-BVO)を酸素誘起法により作製した。豊富な酸素を用いた繊維の焼成はBi⁵⁺自己ドーピングを実現する上で重要な役割を果たした。密度汎関数理論計算と実験結果は,Bi⁵⁺自己ドーピングがBVOのバンドギャップを狭め,光収穫向上に寄与することを示した。さらに,Bi⁵⁺自己ドーピングはBVOにn型とp型の半導性を同時に与え,急速な電子正孔再結合を遅らせるためのp-nホモ接合の作製を可能にした。これらの好ましい特性により,Bi⁵⁺-BVOは,優れた光触媒活性を示した。

シソーラス用語： 半導体接合 ,  *触媒活性 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  ビスマス ,  ドーピング ,  *バナジウム酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  光触媒 ,  *PN接合 ,  密度汎関数法 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： *バナジウム酸ビスマス ,  ホモ接合 ,  *光触媒活性

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光触媒活性 ,  促進 ,  ホモ接合 ,  酸素 ,  誘起 ,  自己 ,  ドープ