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J-GLOBAL ID：201702236306733136   整理番号：17A1345154

高電圧部分埋設P/N層SOI LDMOSの数値研究【Powered by NICT】

Numerical Investigation of High-Voltage Partial Buried P/N-Layer SOI LDMOS

著者 (8件)： Hu Yue (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China) ,  Gong Yanfei (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China) ,  Liu Huazhen (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China) ,  Xu Qianqian (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China) ,  Zhao Wen-Sheng (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China) ,  Wang Jing (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China) ,  Wang Ying (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China) ,  Wang Gaofeng (Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Zhejiang, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3725-3733  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン-オン-インシュレータ(SOI)技術で部分埋め込みP/N型シリコン層(PBPL/PBNL)を持つ高電圧横方向二重拡散MOSFETを数値的に調べた。横方向では,部分埋め込みシリコン層(PBL)は,余分の電場ピーク,表面電界分布を改善し,ドリフト領域における電荷調節を増加させるを導入することができる。,垂直方向の,PBPLとPBNLは,埋込み酸化物層に高電場を誘起し,そのために降伏電圧(BV)を著しく向上させることができる。ドリフト領域における高い電子濃度のために,オン抵抗(R_ON)も大幅に削減できる。二次元シミュレーション結果はPBPLとPBNL SOIは,従来のSOI(BV ~ 225 V)と埋込みN層SOI(BV ~ 231 V)と比較して,それぞれ,296および365VのBVを達成できることを示した。添加では,従来のSOIと比較して,R_ONはPBPLとPBNL SOIの約31.7%と13.8%にそれぞれ減少することができた。最後に,ハイブリッドPBPL/PBNL SOIsを研究し,素子性能をさらに改善することが可能であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  ドリフト ,  シミュレーション ,  電荷 ,  *埋設 ,  電場 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 電子濃度 ,  絶縁破壊電圧 ,  高電場 ,  電界分布 ,  N型シリコン ,  *数値研究 ,  *LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧 ,  埋設 ,  SOI ,  LDMOS ,  数値 ,  研究