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J-GLOBAL ID：201702236331683581   整理番号：17A1570675

SRAM PUFsに電源ランプ時間の影響【Powered by NICT】

The effect of power supply ramp time on SRAM PUFs

著者 (3件)： Elshafiey Abdelrahman T. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of New Mexico, Albuquerque, NM, USA) ,  Zarkesh-Ha Payman (Department of Electrical and Computer Engineering, University of New Mexico, Albuquerque, NM, USA) ,  Trujillo Joshua (Department of Energy’s National Security Campus, Managed by Honeywell, Kansas City, MO, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MWSCAS  ページ： 946-949  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,初めて,SRAM PUFの始動値はSRAM電源上昇時間に依存して異なることを実証した。解析モデルはSRAM PUF始動値に影響を及ぼすことを電源ランプ時間の範囲を決定するために開発した。運転の二領域であることが分かった。結果として,生成した鍵は,おそらく一つの領域ごとに異なる可能性がある。SRAM試験チップはタワージャズの180nmシリコンゲルマニウム(SiGe)バイポーラ/CMOS(BiCMOS)プロセスを使って設計,作製した。測定したデータに基づいて,適切な立上り時間を用いた反転ビットの数を5%減少させることができる。シミュレーションとシリコンの結果は,解析モデルを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 解析モデル ,  CMOS ,  ケイ素 ,  *SRAM ,  BiCMOS
準シソーラス用語： 立上り時間 ,  シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： SRAM ,  ランプ