文献

J-GLOBAL ID：201702236360104982   整理番号：17A0591729

RFスパッタリングを用いてAl₂O₃基板とGaN基板上に作成したZnO膜の表面,構造,および,光学的性質

Surface, Structural, and Optical Properties in the ZnO Films Grown on Al₂O₃ and GaN Substrates by Using RF-Sputtering

著者 (5件)： KO Hang-Ju (Korea Photonics Technol. Inst., Gwangju, KOR) ,  KIM Kang-Bok (Hoseo Univ., Asan, KOR) ,  LEE Soo-Man (Hoseo Univ., Asan, KOR) ,  JANG Tae-Soo (Hoseo Univ., Asan, KOR) ,  OH Dong-Cheol (Hoseo Univ., Asan, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3272-3278  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドギャップ半導体であるZnOはオプトエレクトロニクス素子の有望な材料候補であるが,高品質なZnO膜を作成するために必要な基板に関して信頼できる物質候補が確立されていない。本研究では,RFスパッタリングを用いてZnO薄膜を二種類の基板上に作成し,それらの表面,構造,および,光学的性質を比較した。実験には,代表的な基板であるAl₂O₃基板とGaN基板を用いた。Al₂O₃基板上の薄膜の表面粗さは,基板温度の上昇および膜厚の増加とともに増大したが,GaN基板については逆の傾向が見られた。また,X線回折スペクトル線の線幅に関して,GaN基板上の薄膜は,Al₂O₃基板上の薄膜よりも5倍狭くなり,また,フォトルミネセンス強度については,GaN基板上の薄膜の方が50倍大きくなった。格子不整合の観点などを基に観測結果を説明した。

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *薄膜 ,  *表面 ,  *光学的性質 ,  酸化アルミニウム ,  *基板 ,  表面粗さ ,  基板温度 ,  膜厚 ,  X線回折 ,  スペクトル線幅 ,  光ルミネセンス ,  格子不整合 ,  *構造
準シソーラス用語： *ZnO薄膜 ,  酸化物半導体 ,  フォトルミネセンス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFスパッタリング ,  Al2O3 ,  GaN ,  ZnO ,  光学的性質