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J-GLOBAL ID：201702236403168813   整理番号：17A0406933

自己焼結ex-situ MgB_2バルクにおける「MgB_2 MgB_4」可逆反応による臨界電流密度の増強【Powered by NICT】

Enhancement of critical current density by a “MgB₂-MgB₄” reversible reaction in self-sintered ex-situ MgB₂ bulks

著者 (7件)： Peng Junming (State Key Lab of Hydraulic Engineering Simulation and Safety, School of Materials Science & Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Cai Qi (State Key Lab of Hydraulic Engineering Simulation and Safety, School of Materials Science & Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Cheng Fang (State Key Lab of Hydraulic Engineering Simulation and Safety, School of Materials Science & Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Ma Zongqing (State Key Lab of Hydraulic Engineering Simulation and Safety, School of Materials Science & Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Li Chong (State Key Lab of Hydraulic Engineering Simulation and Safety, School of Materials Science & Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Xin Ying (Tianjin University, Futong Group Research Center of Applied Superconductivity, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Liu Yongchang (State Key Lab of Hydraulic Engineering Simulation and Safety, School of Materials Science & Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 24-29  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己焼結ex-situ MgB_2多結晶バルクは二段階焼結プロセス,最初に900°C0 20分で,650°Cで1を経験した。MgB_2は900°CでMgB_4とMgに分解しMgB_4とMgから650°Cで再構成されていた。可逆反応は物質移動を促進し,このようにして細孔を除去し,結晶粒間の接続性を向上させた。臨界電流密度(J_c)はMgB_4と新生界のような改良された粒連結性と添加物ピン止め中心の両方に起因し著しく改善された。この二段階焼結プロセスは高性能ex-situ MgB_2バルクとワイヤを作製するための有望な方法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 細孔 ,  *可逆反応 ,  添加剤 ,  *マグネシウム ,  結晶粒 ,  *臨界電流密度 ,  ピン止め ,  再構成 ,  連結性 ,  多結晶 ,  金属線 ,  物質移動 ,  *焼結
準シソーラス用語： 二段階焼結 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： MgB_2超伝導体 ,  可逆反応 ,  MgB_4

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  超伝導材料  (BM04041W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己 ,  焼結 ,  バルク ,  可逆反応 ,  臨界電流密度 ,  増強