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J-GLOBAL ID：201702236406754540   整理番号：17A1250827

すべてのGaN集積カスコードヘテロ接合電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

All-GaN-Integrated Cascode Heterojunction Field Effect Transistors

著者 (10件)： Jiang Sheng (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K) ,  Lee Kean Boon (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K) ,  Guiney Ivor (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge, U.K) ,  Miaja Pablo F. (School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, Manchester, U.K) ,  Zaidi Zaffar H. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K) ,  Qian Hongtu (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K) ,  Wallis David J. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge, U.K) ,  Forsyth Andrew J. (School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, Manchester, U.K) ,  Humphreys Colin J. (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge, U.K) ,  Houston Peter A. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32  号： 11  ページ： 8743-8750  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全てのGaN集積カスコードヘテロ接合電界効果トランジスタは,パワースイッチング応用のために設計し,作製した。~+2Vのしきい値電圧は,フッ素処理と金属-絶縁体-半導体ゲート構造増強モード部分を用いて達成した。カスコード素子は両エンハンスメント及びデプレッションモード部品の電流駆動能力をマッチングすることにより出力電流300mA/mmを示した。最適化はゲート下誘電体層を添加した空乏モード断面のしきい値電圧をシフトより負の値まで減少させることによって達成された。カスコードのスイッチング性能は,二重パルス試験機における誘導性負荷の下での200Vでハードスイッチング速度を測定することによって等価GaNエンハンスメントモードのみの素子と比較した。初めて,等価GaNエンハンスメントモードのみデバイス上のカスコードのスイッチング速度利点,減少したMiller効果とユニークなスイッチング機構を実証した。これらの観察は,高出力と高スイッチング周波数での実際の電力スイッチは集積カスコード構成の一部として役立つであろうことを示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  半導体 ,  *窒化ガリウム ,  電力 ,  *ヘテロ接合 ,  スイッチング ,  スイッチ ,  電流 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： スイッチング周波数 ,  高出力 ,  スイッチング速度 ,  エンハンスメントモード ,  閾値電圧 ,  *カスコード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  集積 ,  カスコード ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ