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J-GLOBAL ID：201702236562281971   整理番号：17A1022053

ZnO:Alのp型Siヘテロ接合太陽電池における混合相ドープ層の可能性【Powered by NICT】

Potentials of mixed-phase doped layers in p-type Si heterojunction solar cells with ZnO:Al

著者 (9件)： Mercaldo Lucia V. (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Portici Research Centre, Piazzale E. Fermi 1, 80055 Portici (Na), Italy) ,  Bobeico Eugenia (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Portici Research Centre, Piazzale E. Fermi 1, 80055 Portici (Na), Italy) ,  Usatii Iurie (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Portici Research Centre, Piazzale E. Fermi 1, 80055 Portici (Na), Italy) ,  Della Noce Marco (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Portici Research Centre, Piazzale E. Fermi 1, 80055 Portici (Na), Italy) ,  Lancellotti Laura (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Portici Research Centre, Piazzale E. Fermi 1, 80055 Portici (Na), Italy) ,  Serenelli Luca (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Casaccia Research Centre, Via Anguillarese 301, 00123 Roma, Italy) ,  Izzi Massimo (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Casaccia Research Centre, Via Anguillarese 301, 00123 Roma, Italy) ,  Tucci Mario (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Casaccia Research Centre, Via Anguillarese 301, 00123 Roma, Italy) ,  Delli Veneri Paola (Italian National Agency for New Technologies, Energy and Sustainable Economic Development (ENEA) - Portici Research Centre, Piazzale E. Fermi 1, 80055 Portici (Na), Italy)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 169  ページ： 113-121  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前部と後部の両側にAlドープZnO(AZO)を持つp型Siヘテロ接合太陽電池の開発の進歩示し,議論し,混合相SiとSiO_xベースドープ層を用いた。p型非晶質シリコン(a Si:H)を用いた時,AZO後は有害であるが,p型微結晶シリコン(μc Si:H)は:可能にすることを実証した。(1)p layer/AZO Schottky障壁の抑制,(2)関連V_oc増加,および(3)キャリアの改良された輸送と抽出。とは対照的に,V_oc減少および増加した低注入再結合は,AZOと結合したn型μc-Si:Hで観測された,重篤な空乏効果を必要とする材料の低欠陥密度に起因すると考えられる。これらの問題はより欠陥の多い混合相n SiO_x,減少した寄生吸収損失を提供する追加を回避し,それゆえに最適エミッタ選択として確立されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 欠陥密度 ,  *酸化亜鉛 ,  *ケイ素 ,  アルミニウム ,  アモルファスシリコン ,  *ドーピング ,  再結合
準シソーラス用語： *混合相 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Siヘテロ接合太陽電池 ,  ZnO:Al ,  μc-Si:H ,  ナノ結晶酸化けい素 ,  不動態化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  Al ,  P型Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  混合相 ,  ドープ ,  可能性