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J-GLOBAL ID：201702236582053359   整理番号：17A1425030

InAsP/Si量子ドット太陽電池の電気的性質【Powered by NICT】

Electrical properties of InAsP/Si quantum dot solar cell

著者 (5件)： Benyettou F. (Laboratory LATSI Faculty of Technology, University of Blida. 1, 09000, Blida, Algeria) ,  Aissat A. (Laboratory LATSI Faculty of Technology, University of Blida. 1, 09000, Blida, Algeria) ,  Aissat A. (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, University of Sciences and Technologies of Lille, 1 Avenue Poincare, 60069, 59652 Villeneuve of Ascq, France) ,  Djebari M. (Laboratory LATSI Faculty of Technology, University of Blida. 1, 09000, Blida, Algeria) ,  Vilcot J.P. (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, University of Sciences and Technologies of Lille, 1 Avenue Poincare, 60069, 59652 Villeneuve of Ascq, France)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 30  ページ： 19512-19517  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsP/Si量子ドット太陽電池(QDSC)の電気的性質を数値的に本論文で研究され,解析した。挿入された量子ドット(QD)層の数と電流密度-電圧(J-V)と外部量子効率(EQE)のような光起電力特性に及ぼすInAs_xP_1xのひ素含有量のような多くの効果を調べた。著者らの結果は,最適ヒ素含有量が0.6であることをが示されている。30InAsP/Si QD層により,短絡電流と効率の約7%と6.70%の相対的増大を達成した。そうでなければ,低エネルギー光子の吸収範囲端は1120から1200nmまで拡張した。p-i-nシリコン(Si)太陽電池の真性領域における量子ドットの導入は装置従来の半導体太陽電池に対して報告されているものを超えて特性を有意に増強することを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  *太陽電池 ,  光起電力 ,  光子 ,  電流密度 ,  *ヒ化インジウム ,  電圧 ,  ヒ素 ,  *電気的性質 ,  半導体 ,  短絡電流
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  外部量子効率 ,  *量子ドット太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 材料 ,  量子ドット ,  太陽電池 ,  太陽光発電

分類 (2件)： 気体燃料の製造  (YE02030F) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAsP ,  Si ,  量子ドット太陽電池 ,  電気的性質