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J-GLOBAL ID:201702236656949635   整理番号:17A1444693

塩素駆動化学蒸気輸送による単分子層二硫化タングステン(WS_2)【Powered by NICT】

Monolayer Tungsten Disulfide (WS2) via Chlorine-Driven Chemical Vapor Transport
著者 (5件):
資料名:
巻: 13  号: 33  ページ: ROMBUNNO.201701232  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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高品質二硫化タングステン(WS_2)単分子層の大規模生産は,この有望な遷移金属二カルコゲン化物半導体を用いた潜在的素子応用のための前提条件である。最も研究された技術は,化学蒸着,典型的に酸化タングステンを硫黄蒸気の反応を含んでいる。物理蒸着などの他の技術は,いくつかの成功を調査したが,低蒸気圧が成長は困難である。本研究では,バルク結晶成長における一般に利用されるハロゲン化駆動蒸気輸送に依存する成長過程を示した。少量の塩化ナトリウム塩を用いた塩素の源として,不揮発性WS_2が反応してガス状タングステン塩化物と硫黄を形成することができた。開管システムを用いて,制御された反応は,単層と数層のWS_2結晶を生成する。単分子層材料の光学的および物理的特性化は長さが50μm以上の良好な均一性と三角形領域を示した。光ルミネセンス過渡応答測定は,剥離したフレーク,多粒子物理学に起因して,類似の非線形励起子動力学を示した。前駆体として望ましい結晶と適切なハロゲン化物塩の粉末を,技術であるカレント過程で成長が困難な他の層状材料を実現する可能性を持っている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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炭素とその化合物  ,  二次電池  ,  電気化学反応 

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