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J-GLOBAL ID：201702236668106120   整理番号：17A0943530

走査型トンネル顕微鏡で発生したテラヘルツ放射を用いたテラヘルツ分光法によるキャリアプロファイリング半導体の可能性【Powered by NICT】

Possibility of carrier profiling semiconductors by terahertz spectroscopy with terahertz radiation generated in a scanning tunneling microscope

著者 (2件)： Coombs Dmitrij G. ,  Hagmann Mark J.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： WMED  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型トンネル顕微鏡(STM)のトンネル接合上に集光モード同期超高速レーザは直流トンネル電流に及ぼすレーザパルス繰返し周波数の高調波を重ね合わせる。最初の200高調波の各(15GHzまで)で測定した出力はトンネル接合を短絡すること漂遊容量に起因する周波数の二乗に反比例して変化する。Fourier解析はトンネル接合における高調波は1/2と#x003C4の周波数までの有意な減衰を持たないことを示唆している#x33THz003C4;=15fs,レーザパルス幅。二つの異なる解析はトンネル接合内の周波数コムの発生をモデル化するために提示した。最初はナノスケールトンネル接合で観測された電流-電圧特性に基づいている。第二は変調障壁に対する時間依存Schroedinger方程式の解である。両分析はトンネル接合におけるパルスレーザ放射の光整流はレーザのパルス繰返し周波数の高調波を発生させ,これらの高調波はテラヘルツ周波数に拡張可能であることを示した。トンネル接合は,テラヘルツ放射のサブnmサイズの源として利用できることが明らかになった。透過と後方散乱を用いてできなかったが半導体の有限伝導率により,この源の負荷はキャリア密度と逆に変化する損失を引き起こすであろう。キャリア動力学を時間領域測定,および時間平均キャリアプロファイリングにより阻害されたが,おそらくテラヘルツ源のサブnmサイズに起因してより細かい分解能で測定できた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザパルス ,  *半導体 ,  周波数 ,  分解能 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  トンネル接合 ,  キャリア密度 ,  パルスレーザ ,  *テラヘルツ波 ,  高調波 ,  モード同期 ,  モデリング
準シソーラス用語： 周波数コム ,  繰返し周波数 ,  *テラヘルツ放射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 走査型トンネル顕微鏡 ,  テラヘルツ放射 ,  テラヘルツ分光法 ,  可能性