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J-GLOBAL ID：201702236724101054   整理番号：17A1239893

MoS_2単分子層からの熱光放出【Powered by NICT】

Thermal Light Emission from Monolayer MoS₂

著者 (4件)： Dobusch Lukas (Institute of Photonics, Vienna University of Technology, Gusshausstrasse 27-29, 1040, Vienna, Austria) ,  Schuler Simone (Institute of Photonics, Vienna University of Technology, Gusshausstrasse 27-29, 1040, Vienna, Austria) ,  Perebeinos Vasili (Skolkovo Institute of Science and Technology, 3 Nobel Street, Skolkovo, Moscow Region, 143026, Russia) ,  Mueller Thomas (Institute of Photonics, Vienna University of Technology, Gusshausstrasse 27-29, 1040, Vienna, Austria)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 31  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2とWSe_2のような層状遷移金属二カルコゲン化物半導体は魅力的な特性を示し,様々な電子および光電子デバイスのための検討現在であった。これらの特性は,低い熱伝導率および大きなSeebeck係数,熱電応用に有望である,を含んでいる。さらに,遷移金属二カルコゲン化物は厚さが薄くし場合間接-直接バンドギャップ遷移を受け,単分子層における強い励起子光及びエレクトロルミネセンスをもたらした。,自由に150nmの距離で真空中に懸濁したMoS_2単分子層シートはJoule加熱の結果として可視光を放出することを実証した。接触電極への熱,下地基板を通して抑制熱散逸の貧弱な移動のために,電子温度は約1500 1600達することができる。熱占有励起子状態から得られた狭帯域発光は素子の中心にわずか約50nm幅の領域に空間的に局在し,チャネルの負性微分電気伝導率であった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 抵抗加熱 ,  電子温度 ,  *単分子層 ,  電気伝導率 ,  可視光 ,  励起子 ,  *発光 ,  熱伝導率 ,  チャネル ,  エレクトロルミネセンス ,  半導体
準シソーラス用語： 熱散逸 ,  直接バンドギャップ ,  Seebeck係数 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電界効果トランジスタ ,  発光 ,  MoS2 ,  熱伝導率

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単分子層 ,  光放出