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J-GLOBAL ID：201702236763084376   整理番号：17A0492506

歪み工学による二次元材料の量子電子とフォノン輸送のチューニング:Green関数に基づく研究

Tuning quantum electron and phonon transport in two-dimensional materials by strain engineering: a Green’s function based study

著者 (5件)： Sandonas Leonardo Medrano (Institute for Materials Science and Max Bergmann Center of Biomaterials, TU Dresden, 01062 Dresden, Germany. [e-mail]) ,  Gutierrez Rafael ,  Pecchia Alessandro ,  Seifert Gotthard ,  Cuniberti Gianaurelio
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 2  ページ： 1487-1495  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規な2次元(2D)材料は,歪み工学と組み合わせた珍しい物理的特性を示し,ナノエレクトロニクスにおける新たな潜在的デバイス応用の可能性を開く。特に,輸送特性は適用された歪みに非常に敏感であることが判明している。本研究では,密度汎関数法を用いたGreen関数(GF)アプローチと組み合わせた強束縛(DFTB)法を用いて,輸送装置(接触装置(散乱)-接触領域)の歪みの影響を取り上げ,六方晶系窒化ホウ素(hBN),ホスホレン,およびMoS₂単分子膜に焦点を当てて,二次元材料の電子およびフォノンの輸送特性について調べた。未延伸コンタクト領域を考慮すると,電子バンドギャップは異常な挙動を示し,散乱領域の歪みレベルを増加させると熱コンダクタンスは連続的に減少することを示した。しかしながら,システム全体(接触領域およびデバイス領域)が均質に歪むと,hBNおよびMoS₂単層のバンドギャップは減少し,一方,ホスホレンの場合,最初に増加し,次いでより大きな歪みレベルでゼロになる傾向があった。さらに,熱コンダクタンスは,研究した2D材料のそれぞれについて,特定の歪み依存性を示した。引き伸ばした接触領域の歪みレベルを変更することによって,これらの効果を調整することができた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *Green関数 ,  *輸送現象 ,  *歪 ,  密度汎関数法 ,  窒化ホウ素 ,  黒リン ,  硫化モリブデン ,  バンドギャップ ,  コンダクタンス ,  熱伝導率
準シソーラス用語： フォスフォレン ,  *フォノン輸送 ,  熱コンダクタンス ,  輸送特性 ,  *電子輸送

分類 (2件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： 歪み ,  工学 ,  二次元材料 ,  量子 ,  電子 ,  フォノン輸送 ,  チューニング ,  Green関数 ,  研究