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J-GLOBAL ID：201702236946897320   整理番号：17A1604778

ThSi₂構造をもつストロンチウムジゲルマニドSrGe_2-δの合成および超伝導性

Synthesis and Superconductivity of a Strontium Digermanide SrGe_2-δ with ThSi₂ Structure

著者 (12件)： IYO Akira (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  HASE Izumi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KAWASHIMA Kenji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KAWASHIMA Kenji (IMRA Material R&D Co. Ltd., Aichi, JPN) ,  ISHIDA Shigeyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KITO Hijiri (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKESHITA Nao (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OKA Kunihiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUJIHISA Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  GOTOH Yoshito (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YOSHIDA Yoshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  EISAKI Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 56  号： 14  ページ： 8590-8595  発行年： 2017年07月17日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ホウ素高圧容器を用い2GPa,850~950°Cの固相反応によりストロンチウムジゲルマニドSrGe_2-δを合成した。X線回折による生成物分析から三斜晶SrGe₂と過剰のSrの反応による正方晶SrGe_1.66(4)の生成からなる機構を推定した。格子定数を決定した。超電導性で臨界温度7.3Kを示した。バンド構造および状態密度計算からZintl相Sr²⁺(Ge₂)^2-の生成によるGe sp軌道の寄与を考えた。

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *固相反応 ,  X線回折 ,  三斜晶系 ,  正方晶系 ,  反応機構 ,  格子定数 ,  *超伝導 ,  転移温度 ,  バンド構造 ,  状態密度 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： Zintl相 ,  高圧反応 ,  超伝導臨界温度

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)