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J-GLOBAL ID：201702236997160501   整理番号：17A0402930

エレクトロスピニングにより合成した中空(GaN)_1 x(ZnO)4x複合ナノファイバの光触媒特性【Powered by NICT】

The photocatalytic properties of hollow (GaN)_1-x(ZnO)_x composite nanofibers synthesized by electrospinning

著者 (8件)： Wang Ding (College of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science & Technology, Shanghai, 200093, People’s Republic of China) ,  Zhang Minglu (College of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science & Technology, Shanghai, 200093, People’s Republic of China) ,  Zhuang Huaijuan (College of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science & Technology, Shanghai, 200093, People’s Republic of China) ,  Chen Xu (College of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science & Technology, Shanghai, 200093, People’s Republic of China) ,  Wang Xianying (College of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science & Technology, Shanghai, 200093, People’s Republic of China) ,  Zheng Xuejun (School of Mechanical Engineering, Xiangtan University, Xiangtan, 411105, People’s Republic of China) ,  Zheng Xuejun (Key Laboratory of Welding Robot and Application Technology of Hunan Province, Xiangtan University, Xiangtan, 411105, People’s Republic of China) ,  Yang Junhe (College of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science & Technology, Shanghai, 200093, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 888-896  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中空構造を有する(GaN)1 x(ZnO)x複合材料ナノファイバーは,初期電気紡糸とそれに続く焼成と窒化により作製した。試料の構造と形態特性をX線回折(XRD),電界放出走査電子顕微鏡(FE SEM),エネルギー分散X線分光(EDS)および透過型電子顕微鏡(TEM)により調べた。キャラクタリゼーションの結果は,アンモニア雰囲気下で(GaN)1 x(ZnO)x固溶体にZnGa_2O_4から相転移を示した。調製条件を検討し,最適窒化温度と保持時間が750°Cおよび2時間であった。異なるGa:Zn原子比を持つ(GaN)1 x(ZnO)xの光触媒特性を可視光照射下でのローダミンBの分解により調べた。光触媒活性順位は(GaN)1 x(ZnO)x(Ga:Zn=1:2)>(GaN)1 x(ZnO)x(Ga:Zn=1:3)>ZnOナノファイバ>(GaN)1 x(ZnO)x(Ga:Zn=1:4)>(GaN)1 x(ZnO)x(Ga:Zn=1:1)である。(GaN)1 x(ZnO)x中空ナノファイバの光触媒機構を,UV-vis拡散反射スペクトルによって研究した。(GaN)1 x(ZnO)x中空ナノファイバーの優れた光触媒性能は中空構造を有する多孔質ナノファイバの狭いバンドギャップと高い表面積に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アンモニア ,  多孔性 ,  *酸化亜鉛 ,  *光触媒 ,  固溶体 ,  X線回折 ,  バンドギャップ ,  透過型電子顕微鏡 ,  表面積 ,  キャラクタリゼーション ,  窒化 ,  触媒活性 ,  *ナノファイバ ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 光触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 複合ナノファイバー ,  (GaN)_1 x(ZnO)4x ,  エレクトロスピニング ,  中空と多孔質構造 ,  光触媒活性

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： エレクトロスピニング ,  中空 ,  GaN ,  ZnO ,  ナノファイバ ,  触媒特性