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J-GLOBAL ID：201702237084258384   整理番号：17A0662170

高周波LLC共振コンバータにおける窒化ガリウムデバイスの研究【Powered by NICT】

Investigation of Gallium Nitride Devices in High-Frequency LLC Resonant Converters

著者 (5件)： Zhang Weimin (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Tennessee, Knoxville, TN, USA) ,  Wang Fred (Tesla Motors Inc., Palo Alto, CA, USA) ,  Costinett Daniel J. (Tesla Motors Inc., Palo Alto, CA, USA) ,  Tolbert Leon M. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Tennessee, Knoxville, TN, USA) ,  Blalock Benjamin J. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Tennessee, Knoxville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32  号： 1  ページ： 571-583  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しく発見された窒化ガリウム(GaN)素子は,電力変換器のための顕著な改善をもたらす可能性のある超高速スイッチング速度と低いオン状態抵抗を特徴とする。LLC共振形コンバータにおけるGaNデバイスの利点を検討し,変換器効率を改善するためのGaNデバイスの能力を定量的に評価した。デバイス損失へのデバイスと変換器の設計パラメータの関係は共鳴で動作するLLC共振コンバータの解析モデルに基づいて確立した。GaNデバイスの低い有効出力静電容量に起因して,GaNベース設計は,Siベースの設計と比較して約50%デバイス損失の低減を実証した。第二に,非対称一次側と二次側電流による余分な変圧器巻線損失に関する新しい展望を提案した。デバイスおよび設計パラメータを有限要素解析(FEA)シミュレーションにおける巻線損失モデルに基づいた巻線損失に関連している。Siベース設計と比較して,巻線損失は,GaNベース設計における18%減少した。最後に,GaNデバイスの利点を実験的に検証するために,に12V,300W,1MHz GaNベースとSiベースLLC共振コンバータのプロトタイプを構築し,試験した。1%効率化,24.8%損失低減は,GaNをベースにした変換器で達成された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 解析モデル ,  効率化 ,  共振形コンバータ ,  *HF【周波数】 ,  静電容量 ,  電流 ,  変換器 ,  巻線 ,  *窒化ガリウム ,  プロトタイプ ,  ケイ素 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  スイッチング速度 ,  *LLC共振コンバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波 ,  LLC共振コンバータ ,  窒化ガリウム ,  研究