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J-GLOBAL ID:201702237208775526   整理番号:17A1436287

電着CuおよびNi上の超薄炭素膜の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of ultrathin carbon films on electrodeposited Cu and Ni
著者 (8件):
資料名:
巻: 49  号: 11  ページ: 1088-1094  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0709A  ISSN: 0142-2421  CODEN: SIANDQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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極薄炭素膜は,異なるタイプの金属基板上に成長させた。CuとNiの自立箔は,電鋳によって調製し,純Ni膜はSiウエハ上のガルバニック置換により得られた。参照基板として用いたNiの99.95%の市販箔。炭素膜をCH_4 H_2雰囲気中での化学気相堆積によりこれらの基板上に成長させた。得られた膜をRaman分光法,X線光電子分光法(XPS),Auger電子分光法,および紫外光電子分光法によって特性化した。すれすれ収集角でXPSを用いて炭素膜の厚さを決定することであった。堆積パラメータに依存して,グラフェンあるいはグラファイトの膜を,種々の基板上に得た。グラフェンの均一性,試料全体にわたるその分布はRamanデータ,光学画像,XPS化学マップから調べた。膜中のグラフェンあるいはグラファイトの存在はC KVVのRamanスペクトルとAugerピークから決定した。この目的のために,Dパラメータ,炭素同素体のフィンガープリントは,X線および電子ビームを用いて得られたC KVVスペクトルから決定した。金属水酸化物の中間層の形成は,グラフェン被覆層を持つ試料で明らかになった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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炭素とその化合物  ,  電子分光スペクトル  ,  物理的手法を用いた吸着の研究  ,  無機化合物一般及び元素 

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