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J-GLOBAL ID：201702237209852039   整理番号：17A0443296

Be_2C単分子層の電子的および光学的研究:応力と歪条件の下で【Powered by NICT】

Electronic and optical investigations of Be₂C monolayer: Under stress and strain conditions

著者 (2件)： Naseri Mosayeb (Department of Physics, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran) ,  Jalilian Jaafar (Young Researchers and Elite Club, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 88  ページ： 49-55  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Be_2C単分子層,新しい直接バンドギャップ半導体として,オプトエレクトロニクス応用に使用するための良好な可能性を持っている。Be_2C単分子層の電子的および光学的性質に及ぼす種々の二軸応力と歪の効果を,密度汎関数理論の枠内で第一原理計算により調べた。電子特性の研究を二軸歪の下で,Be_2C単分子層の直接バンドギャップは間接的(K → Γ)が,ストレス下で,のままであることを示した。添加では,エネルギーギャップは,歪の下で増加したが,それは,ストレス条件下で減少した。光学計算は歪と応力効果を,光学スペクトルの赤と青方偏移を引き起こす,ことを示した。さらに,低エネルギー範囲における反射率と吸収の低い値は,この単分子層の透明性を示した。これらの結果は,将来のナノエレクトロニクスシステムの作製に利用できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  青方偏移 ,  エネルギーギャップ ,  密度汎関数法 ,  オプトエレクトロニクス ,  反射率 ,  *単分子層
準シソーラス用語： 透明性 ,  低エネルギー ,  光学スペクトル ,  応力効果 ,  二軸ひずみ ,  第一原理計算 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論 ,  単原子層 ,  電子的性質 ,  光学的性質

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単分子層 ,  電子 ,  光学 ,  研究 ,  応力 ,  歪