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J-GLOBAL ID：201702237415406863   整理番号：17A1077367

WO₃およびWO_3-x(001)表面上のH₂O吸着

H₂O Adsorption on WO₃ and WO_3-x (001) Surfaces

著者 (3件)： ALBANESE Elisa (Universita di Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  DI VALENTIN Cristiana (Universita di Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  PACCHIONI Gianfranco (Universita di Milano-Bicocca, Milano, ITA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 27  ページ： 23212-23221  発行年： 2017年07月12日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光触媒の濡れ特性に関して,清浄および酸素欠陥を含むWO₃(001)面における水の吸着/解離をB3LYPレベルの密度汎関数法計算により理論検討した。種々の表面配置における酸素空孔の生成エネルギーを求めた。c軸に沿った末端酸素の脱離エネルギーがバルクに比べて顕著に低いことから当量組成表面の調製が困難と推定した。この欠陥中心は導電帯の直下および直上の一電子占有欠陥状態の共鳴を含む三重項基底状態であり,亜表面における酸素空孔の部分局在化および表面における非局在化を生じた。酸素欠陥による半導体-金属転移を推定した。水の吸着は非解離性であり,表面酸素-水核間距離はバルク水と同等で,表面吸着は弱いと推定した。当量性表面酸素上の水のホモリシスによる水素発生反応は自発的であり,これに伴って生成する酸素欠陥により金属への転移が生じると推定した。

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  *吸着 ,  *水滴 ,  *光触媒 ,  *濡れ ,  点欠陥 ,  密度汎関数法 ,  エネルギー ,  三重項 ,  基底状態 ,  *電子構造 ,  核間距離 ,  *水素発生反応 ,  *金属-半導体転移
準シソーラス用語： 局在化 ,  酸素欠陥 ,  生成エネルギー ,  脱離エネルギー ,  半導体-金属転移

分類 (4件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  気体燃料の製造  (YE02030F)

タイトルに関連する用語 (2件)： H2O ,  吸着