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J-GLOBAL ID：201702237464069207   整理番号：17A1345126

両極性伝導とTFETの高周波特性に及ぼすドレインドーピング工学の影響【Powered by NICT】

Influence of Drain Doping Engineering on the Ambipolar Conduction and High-Frequency Performance of TFETs

著者 (3件)： Shaker Ahmed (Engineering Physics and Mathematics Department, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt) ,  El Sabbagh Mona (Engineering Physics and Mathematics Department, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt) ,  El-Banna Mohammed M. (Engineering Physics and Mathematics Department, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3541-3547  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,トンネルFET(TFET)の両極性伝導と高周波性能に対する提案されたドレインドーピング工学の影響を二次元TCADシミュレーションを用いて調べた。提案したTFET構造はドレイン側の低ドープ領域より上の高ドープ領域の使用に基づいている。は二つの領域,他の低ドーピングの以上の高いドーピングにドレインを分割する場合,チャンネル ドレイン界面におけるトンネル幅は増加することを示した。トンネル幅のこの増加は,TFETにおける両極性電流のかなりの減少を引き起こす。さらに,相互コンダクタンス(g_m),ソースに対するゲートとドレイン-ゲート容量,単位利得カットオフ周波数(f_T)に関するメリットの高周波性能を解析した。ドレインドーピング領域の組み合わせは,高周波性能を高めることができることが分かった。さらに,提案した技術は,ON電流レベルを低下させなかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *HF【周波数】 ,  利得 ,  *ドーピング ,  電流 ,  二次元 ,  遮断周波数 ,  相互コンダクタンス ,  シミュレーション ,  チャネル
準シソーラス用語： ゲート容量 ,  TCAD ,  *高周波特性 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 両極性伝導 ,  TFET ,  高周波特性 ,  工学