文献

J-GLOBAL ID：201702237503905022   整理番号：17A0381565

によるガラスバイア(TGVS)とそのテスト構造のマスクレス製造【Powered by NICT】

Maskless manufacturing of through glass vias (TGVS) and their test structures

著者 (6件)： Laakso Miku J. (KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Liljeholm Jessica (KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Fischer Andreas C. (KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Stemme Goran (KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Ebefors Thorbjorn (Silex Microsystems AB, Jaerfaella, Sweden) ,  Niklaus Frank (KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 753-756  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラスビア(TGV)によってガラスベースインターポーザとMEMS蓋ウエハの重要な構成要素である。磁場支援自己集合は貫通シリコンバイアの作製に以前実証されている。磁気集合体を利用した完全にマスクレスTGV作製プロセスを提案した。フェムト秒レーザは,表面金属層のアブレーション直接パターニングとウエハ薄化後TGV導体を曝すための使用されている。提案したTGV構造はTGV抵抗値を測定することにより電気的に機能的であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 導体 ,  磁場 ,  フェムト秒レーザ ,  *テスト構造 ,  自己集合 ,  アブレーション ,  磁気 ,  パターン形成 ,  MEMS ,  凝集体
準シソーラス用語： *マスクレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (2件)： テスト構造 ,  マスクレス