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J-GLOBAL ID：201702237576557549   整理番号：17A0579122

高感度で超高速のガスセンシングのためのマイクロヒータープラットフォーム上における規則性金属酸化物中空球アレイのその場局在成長

In Situ Localized Growth of Ordered Metal Oxide Hollow Sphere Array on Microheater Platform for Sensitive, Ultra-Fast Gas Sensing

著者 (10件)： RAO Ameya (Univ. California, California, USA) ,  LONG Hu (Univ. California, California, USA) ,  LONG Hu (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  HARLEY-TROCHIMCZYK Anna (Univ. California, California, USA) ,  PHAM Thang (Univ. California, California, USA) ,  PHAM Thang (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  ZETTL Alex (Univ. California, California, USA) ,  ZETTL Alex (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CARRARO Carlo (Univ. California, California, USA) ,  MABOUDIAN Roya (Univ. California, California, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 3  ページ： 2634-2641  発行年： 2017年01月25日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホルムアルデヒドを超高速に高感度検出するための低電力で作動するガスセンサを開発した。フッ素化合物による自己集合単分子層で表面修飾したマイクロヒータープラットフォーム上において加熱した領域に,金属酸化物(酸化スズ)のナノ構造化したコロイド中空球の規則性二次元アレイをその場局在オンチップ合成した。このプラットフォームを金属酸化物の成長に対する犠牲テンプレートとして用いることにより,二次元コロイド中空球アレイの位置の制御が可能となった。結果として,ホルムアルデヒドの検出限界が6.5ppb,応答時間が1.8秒,回復時間が5.4秒という優れた特性を持つ高感度,超高速,高選択性ガスセンサを作製することができた。

シソーラス用語： *ガスセンサ ,  加熱器 ,  *酸化スズ ,  ナノ構造 ,  コロイド ,  球 ,  中空体 ,  *基質特異性 ,  鋳型反応 ,  高感度 ,  応答時間 ,  回復 ,  フッ素化合物 ,  薄膜 ,  単分子層 ,  表面改質 ,  消費電力 ,  省エネルギー ,  *迅速分析 ,  化学合成 ,  二次元 ,  アレイ ,  検出限界 ,  自己組織化 ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： その場合成 ,  マイクロヒータ ,  二次元構造 ,  回復時間 ,  *基質選択性 ,  犠牲テンプレート ,  *高速分析 ,  自己集合単分子層 ,  中空球 ,  低電力化 ,  表面修飾

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (6件)： 高感度 ,  規則性 ,  金属酸化物 ,  中空球 ,  アレイ ,  成長