文献

J-GLOBAL ID：201702237602016377   整理番号：17A1140007

面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池におけるUrbach tailの影響

著者 (5件)： 鈴木亮介 (電通大) ,  杉山涼 (電通大) ,  加藤智恵 (電通大) ,  曽我部東馬 (電通大) ,  山口浩一 (電通大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6p-PA5-21  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  *太陽電池 ,  *Urbach則 ,  電圧 ,  エネルギー変換効率 ,  密度 ,  MBE成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  電極 ,  *量子効率 ,  バンド構造 ,  吸収係数 ,  短絡電流 ,  深い準位 ,  エネルギー依存性 ,  量子ドット太陽電池 ,  バンド端 ,  中間バンド型太陽電池 ,  ヒ化ガリウム基板
準シソーラス用語： 中間バンド太陽電池 ,  開放電圧 ,  面内超高密度 ,  GaAs基板 ,  櫛形電極 ,  *外部量子効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高密度 ,  InAs量子ドット ,  太陽電池