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J-GLOBAL ID：201702237789853030   整理番号：17A1425031

光起電力のためのInSb/GaAs QDSCの電気的および光学的性質【Powered by NICT】

Electrical and optical properties of InSb/GaAs QDSC for photovoltaic

著者 (4件)： Aissat A. (Laboratory LATSI Faculty of Technology, University of Blida.1, 09000, Blida, Algeria) ,  Aissat A. (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, University of Sciences and Technologies of Lille 1, Avenue Poincare, 60069, 59652, Villeneuve of Ascq, France) ,  Benyettou F. (Laboratory LATSI Faculty of Technology, University of Blida.1, 09000, Blida, Algeria) ,  Vilcot J.P. (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, University of Sciences and Technologies of Lille 1, Avenue Poincare, 60069, 59652, Villeneuve of Ascq, France)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 30  ページ： 19518-19524  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,InSb/GaAs量子ドット太陽電池(QDSC)の電流密度-電圧(J V),外部量子効率(EQE)および光ルミネセンススペクトル(PL)のような電気的および光学的性質のシミュレーションと最適化に焦点を当てた。InSb QDはp-i-n GaAs太陽電池の真性領域に挿入した。著者らの結果は,30InSb/GaAs QD層は短絡電流と効率の22.35%と29.30%の相対的増強を提供することが示されている。QD層の同じ数では,低エネルギー光子の吸収範囲端は900nmから1400nmに拡張した。より良い構造を示すために目標にInSb/GaAs QDSCで得られた電気特性は,InAs/GaAs QDSCで得られたものと比較した。PLスペクトルも同じ構造の実験結果と比較した。さらに,QDSCは,QDの厚さに関して最適化した。10QD層の最適変換効率はQDの厚さを5nmから20nmに14.85%から18.30%に改善された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アンチモン化インジウム ,  太陽電池 ,  *ヒ化ガリウム ,  電気特性 ,  *光起電力 ,  短絡電流 ,  *光学的性質 ,  光子 ,  電流密度 ,  量子ドット ,  最適化
準シソーラス用語： 変換効率 ,  光ルミネセンススペクトル ,  外部量子効率 ,  量子ドット太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Component ,  量子ドット ,  太陽電池 ,  太陽光発電

分類 (1件)： 燃料電池  (YB04040V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光起電力 ,  InSb ,  GaAs ,  光学的性質