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J-GLOBAL ID：201702237798117229   整理番号：17A0402931

In-Sn-Zn酸化物薄膜の構造的,電気的,および光学的性質に及ぼす窒素添加の効果【Powered by NICT】

Effect of nitrogen addition on the structural, electrical, and optical properties of In-Sn-Zn oxide thin films

著者 (7件)： Jia Junjun (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan) ,  Torigoshi Yoshifumi (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan) ,  Suko Ayaka (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan) ,  Nakamura Shin-ichi (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan) ,  Kawashima Emi (Advanced Technology Research Laboratories, Idemitsu Kosan Co., Ltd., Sodegaura, Chiba 299-0293, Japan) ,  Utsuno Futoshi (Advanced Technology Research Laboratories, Idemitsu Kosan Co., Ltd., Sodegaura, Chiba 299-0293, Japan) ,  Shigesato Yuzo (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 897-901  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウム-スズ-亜鉛酸化物(ITZO)膜を,マグネトロンスパッタリングを用いて,種々の窒素流量比で堆積した。40%の窒素流量比で,ITZO膜の構造は非晶質から変化し,短範囲規則In_2O_3相,c軸配向したInN多結晶相に,InNは非晶質In_2O_3マトリックスから核形成を開始した。が,窒素添加は100%の窒素流量比でもインジウム-ガリウム-亜鉛オキシド(IGZO)膜の構造に明らかな影響を及ぼさなかった。窒素流量比が20%以下の時に窒素添加もITZO膜における酸素空格子点の形成を抑制し,より高い窒素添加はキャリア密度の増加をもたらした。さらに,窒素流量比が増加すると光学的バンド端の赤方偏移が観察され,これはInN微結晶の生成に起因すると考えられる。窒素添加誘起構造変化を示す今回の結果は,非晶質IGZOまたはITZOベース薄膜トランジスタ(TFT)における環境に依存した不安定性を理解するのを助けることができることを予測した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒素 ,  多結晶 ,  薄膜トランジスタ ,  赤方偏移 ,  酸化亜鉛 ,  微結晶 ,  核形成 ,  マグネトロンスパッタリング ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 構造変化 ,  酸素空格子点 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  流量比 ,  *窒素ドーピング ,  *酸化物薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 非晶質酸化物半導体 ,  窒素付加 ,  インジウムすず酸化亜鉛(ITZO)膜 ,  負バイアス光照射ストレスによって誘起される不安定性

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sn ,  Zn ,  酸化物薄膜 ,  光学的性質 ,  窒素添加