文献

J-GLOBAL ID：201702237865692391   整理番号：17A1570029

E級インバータに基づくSiC MOSFET用高速駆動回路【Powered by NICT】

High-speed driver for SiC MOSFET based on class-E inverter

著者 (5件)： Sun Yuchong (Graduate School of Advanced Integration Science, Chiba University, Chiba, 142-0043 Japan) ,  Sugano Ryoko (Graduate School of Advanced Integration Science, Chiba University, Chiba, 142-0043 Japan) ,  Wei Xiuqin (Dept. of Electrical Engineering, Chiba Institue of Technology. Chiba, 275-0016 Japan) ,  Hikihara Takashi (Dept. of Electrical Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8130 Japan) ,  Sekiya Hiroo (Graduate School of Advanced Integration Science, Chiba University, Chiba, 142-0043 Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,炭化ケイ素(SiC)MOSFETの高速共鳴ドライバ,E級インバータに基づいているを示した。SiC MOSFETのゲートへのソース抵抗と入力静電容量は駆動信号歪を回避するためのドライバの共振回路に含まれている。さらに,提案されたドライバー,方形波のような駆動信号を出力フィルタに添加したクランプダイオード。設計例と実験的波形をこの論文で示した。零電圧スイッチング条件,提案されたドライバーとその設計手法の妥当性と有効性を示した満足で7MHzと13MHzの周波数でのSiC MOSFETを駆動するために実験室実験が可能であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高速度 ,  周波数 ,  信号歪 ,  フィルタ ,  *駆動回路 ,  共振回路 ,  *炭化ケイ素 ,  零電圧スイッチング ,  共鳴 ,  *MOSFET ,  静電容量 ,  矩形波
準シソーラス用語： 実験室試験 ,  設計手法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： インバータ ,  SiC ,  MOSFET ,  駆動回路