Omotoso E. について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
Omotoso E. について
Department of Physics, Obafemi Awolowo University, Ile-Ife 220005, Nigeria について
Meyer W.E. について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
van Rensburg P.J. Janse について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
Igumbor E. について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
Tunhuma S.M. について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
Ngoepe P.N.M. について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
Danga H.T. について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
Auret F.D. について
Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa について
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms について
電気的性質 について
熱電子放出 について
正規分布 について
電圧 について
陽子照射 について
電流電圧特性 について
炭化ケイ素 について
Schottky障壁ダイオード について
電流 について
障壁高さ について
飽和電流 について
直列抵抗 について
Schottky障壁高さ について
理想因子 について
4H-SiC について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
Au について
Ni について
SiC について
Schottky障壁ダイオード について
電気的特性 について
高エネルギー について
陽子照射 について