文献

J-GLOBAL ID：201702237881121495   整理番号：17A1546332

Au/Ni/4H SiC Schottky障壁ダイオードの電気的特性に及ぼす高エネルギー陽子照射の影響【Powered by NICT】

The effects of high-energy proton irradiation on the electrical characteristics of Au/Ni/4H-SiC Schottky barrier diodes

著者 (9件)： Omotoso E. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  Omotoso E. (Department of Physics, Obafemi Awolowo University, Ile-Ife 220005, Nigeria) ,  Meyer W.E. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  van Rensburg P.J. Janse (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  Igumbor E. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  Tunhuma S.M. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  Ngoepe P.N.M. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  Danga H.T. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  Auret F.D. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 409  ページ： 241-245  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素をドープしたn型4H-SiC上に蒸着した抵抗したAu/Ni(20:80)Schottky障壁ダイオード(SBD)。SDBsの電流-電圧(I V)と容量-電圧(C V)特性は2.0×10~12cm~ 2のフルエンスで1.8MeVの陽子照射による照射前後で調べた。測定を20Kのステップで温度範囲40~300Kで行った。室温(300K)で得られた結果は,衝撃前と後の高整流素子を示した。陽子照射は3.0×10~ 21から6.8×10~ 17~1.05から1.13に理想因子,ショットキー障壁高さの減少から1.40~1.22eV,1066Ωからの直列抵抗の増加と飽和電流の顕著な増加の増加を誘導することを観察した。陽子照射後の飽和電流の増加は照射誘起欠陥で発生した界面状態の存在に起因した。熱電子放出は,温度範囲120~300KにおけるI-V特性を支配していたが,I-V特性は照射前後の両デバイスのための120K以下の温度での熱電子放出理論から逸脱した。温度とSBD特性の変化は,SBHの横方向不均一性の存在に起因した。修正Richardson定数は照射前と後に133日及び165A CM~ 2K~ 2と障壁高さのGauss分布から決定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気的性質 ,  熱電子放出 ,  正規分布 ,  電圧 ,  *陽子照射 ,  電流電圧特性 ,  *炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電流
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  飽和電流 ,  直列抵抗 ,  Schottky障壁高さ ,  理想因子 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Richardson定数 ,  陽子照射 ,  4H-SiC ,  SBD

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Au ,  Ni ,  SiC ,  Schottky障壁ダイオード ,  電気的特性 ,  高エネルギー ,  陽子照射