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J-GLOBAL ID：201702237948179726   整理番号：17A1521716

インクジェット印刷有機電界効果トランジスタのモルフォロジーと性能に及ぼす絶縁層修飾の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of The Modification of Dielectric Layers on The Morphlogy and Device Performance of Inkjet-printed OFET

著者 (3件)： Zhang Guocheng (福州大学平板顕示技術国家地方聯合工程実験室,福建福州350102;福建工程学院信息科学与工程学院,福建福州350108) ,  Chen Huipeng (福州大学平板顕示技術国家地方聯合工程実験室,福建福州,350102) ,  Guo Tailiang (福州大学平板顕示技術国家地方聯合工程実験室,福建福州,350102)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 2  ページ： 194-200  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： OTFTの絶縁層のSiO2表面にオクタデシルトリクロロシラン(OTS)処理と原子層蒸着による薄いアルミナの修飾方式を用いて、インクジェット印刷有機薄膜トランジスタを作製し、修飾前後の絶縁層の表面形態、接触角及び活性層の相構造を研究した。絶縁層の表面形態は修飾前後で大きく変化しないが、表面接触角と印刷後の活性層の相構造に大きな差があるが、OTS処理と沈積アルミナ修飾後、デバイスの移動度はそれぞれ4倍と9倍に増加し、スイッチング比はそれぞれ1と4桁増加した。修飾後の最大移動度は0.35cm2/(V s)に達し,オンオフ比は6.0×106に達した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *モルフォロジー ,  スイッチング ,  アルミナ ,  *インクジェット印刷 ,  *印刷 ,  接触角 ,  移動度 ,  活性層
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  相構造 ,  表面形態 ,  ALCVD ,  有機薄膜トランジスタ ,  *絶縁層 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： OTFT ,  inkjet printing ,  surface modification ,  ALD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： インクジェット印刷 ,  有機電界効果トランジスタ ,  モルフォロジー ,  絶縁層 ,  修飾