La_0 6Gd_0 1Sr_0 3Mn_1in_x O_3の磁気熱量,輸送および磁気抵抗特性に及ぼすインジウムドーピングの効果【Powered by NICT】

Cherif K.; Belkahla Arwa.; Dhahri J.; Hlil E.K.

文献

J-GLOBAL ID：201702238029154651 整理番号：17A0309867

La_0 6Gd_0 1Sr_0 3Mn_1in_x O_3の磁気熱量,輸送および磁気抵抗特性に及ぼすインジウムドーピングの効果【Powered by NICT】

Indium doping effect on magnetocaloric, electro-transport and magnetoresistive properties of La_0.6Gd_0.1Sr_0.3Mn_1-In _x O₃

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巻： 42 号： 9 ページ： 10537-10546 発行年： 2016年07月
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

多結晶試料La_0 6Gd_0 1Sr_0 3Mn_1で_x O_3(x=0,0.05,0.1)の構造,磁気熱量および磁気-電気特性に及ぼすインジウム(In)ドーピングの影響,ゾル-ゲル法による調製を研究した。結晶学的研究は,試料が~X(X=R <span style=text-decoration:overline>3</span> c)空間群を持つ菱面体系で結晶化することを示した。磁化の温度と磁場依存性の研究は,Inドーピングの増加とともに335から280Kまでの強磁性-常磁性転移温度(T,C)の緩やかな減少を示した。第二次相転移材料と磁気熱量特性の磁場依存性は現象論的モデルを用いて調べた。モデルパラメータは磁化データ調整から決定し,使用される磁気転移への良好なあてはめを与え,磁気熱量熱力学量を計算した。磁気エントロピー変化は約6.26kgKのピークと 0.00では5Tで325K印加磁場で133.36kgの相対クーリングパワー(RCP)値に達した。伝導機構を理解するために,強磁性領域における電気抵抗率は電子-電子散乱過程と二マグノン散乱過程によって説明できるが,常磁性領域では小ポーラロンホッピング機構により説明した。5Tでx=0~0.1で54.39%の最大磁気抵抗が室温269K付近で得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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セラミック・磁器の性質 , 酸化物結晶の磁性

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