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J-GLOBAL ID：201702238055683969   整理番号：17A1359841

技術夕方パネルディスカッショントランジスタ将来それはFinFET時代後どのように発展する火曜,6月6日,20:00 21:30【Powered by NICT】

Technology evening panel discussion transistor future; How does it evolve after FinFET Era? Tuesday, June 6, 20:00-21:30

著者 (8件)： Tsunomura T. (Tokyo Electron Ltd.) ,  Mazure C. (Soitec Group) ,  Woo J. (Univ. of California, Los Angeles) ,  McCann D. (GLOBALFOUNDRIES) ,  Chidambaram C. (Qualcomm Inc.) ,  Mocuta D. (imec) ,  Bu H. (IBM) ,  Radu I. (Soitec)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： T66  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETは,16nm以下のノードのための広く使われるようになってきた。製造世界におけるその導入はトランジスタ寸法のスケーラビリティを拡張した。5nmを越えてFinFET構造の利点を維持または失われるかどうかは不明である。代替MOSFET構造は,スケーリングを確保するために発展するであろう。ナノシートまたはナノワイヤは短チャネル効果を抑制する可能性があるが,これらの装置は,複数のナノシートまたはナノワイヤを積層しないオン状態電流を高めるのに問題を持っている。もう一つのアプローチは原子スケールに向けてスケーリングチャネル厚さである。遷移金属二カルコゲン化物,黒りんのような2D材料は広く研究されている。単結晶構造を持つ合成した2D材料は実現されていないと,電気的特性は,最新のSiチャネルFETと比較してまだ低かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  ケイ素 ,  電流 ,  黒リン ,  ナノシート ,  チャネル ,  単結晶 ,  ナノワイヤ ,  *トランジスタ ,  電気的性質 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： 原子スケール ,  オン状態 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 夕方 ,  パネルディスカッション ,  トランジスタ ,  将来 ,  FinFET ,  発展