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J-GLOBAL ID：201702238061495320   整理番号：17A1457855

岩塩型立方晶AlN(001)および(011)表面上のTi,AlおよびN吸着原子の吸着と拡散:ab initio計算【Powered by NICT】

Ti, Al and N adatom adsorption and diffusion on rocksalt cubic AlN (001) and (011) surfaces: Ab initio calculations

著者 (5件)： Mastail C. (Institut Pprime, Departement de Physique et Mecanique des Materiaux, Universite de Poitiers-CNRS-ENSMA, SP2MI, Teleport 2, 86962 Chasseneuil-Futuroscope, France, France) ,  David M. (Institut Pprime, Departement de Physique et Mecanique des Materiaux, Universite de Poitiers-CNRS-ENSMA, SP2MI, Teleport 2, 86962 Chasseneuil-Futuroscope, France, France) ,  Nita F. (Institut Pprime, Departement de Physique et Mecanique des Materiaux, Universite de Poitiers-CNRS-ENSMA, SP2MI, Teleport 2, 86962 Chasseneuil-Futuroscope, France, France) ,  Michel A. (Institut Pprime, Departement de Physique et Mecanique des Materiaux, Universite de Poitiers-CNRS-ENSMA, SP2MI, Teleport 2, 86962 Chasseneuil-Futuroscope, France, France) ,  Abadias G. (Institut Pprime, Departement de Physique et Mecanique des Materiaux, Universite de Poitiers-CNRS-ENSMA, SP2MI, Teleport 2, 86962 Chasseneuil-Futuroscope, France, France)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 423  ページ： 354-364  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio計算を用いて立方晶NaCl型構造(B1)AlN表面上にTi,AlとN吸着原子の優先核形成サイトと移動経路,TiAlN合金系の更なる薄膜成長モデル化への外部入力を決定した。ポテンシャルエネルギー景観は二つの異なるAlN表面配向,(001)および(110)のための金属種と窒素吸着原子の両方に対してマップされ,密度汎関数理論を使用することである。すべての種で,AlN(011)表面上の吸着エネルギーはAlN(001)表面より大きかった。ab initioによる0Kで決定したTiとAl吸着原子の吸着エネルギー景観は類似した特徴を示し,または近,エピタキシャル表面位置に位置する安定な結合部位と,Alに比べて強い結合を示すTiであった。直接対照的に,N吸着原子(N_ad)はN表面原子(N_surf)に近い優先的に吸着し,このようにしてAlN(001)及び(011)の両方に強いN_2分子のような結合を形成した。他の立方晶遷移金属窒化物表面に対して報告されているN_2脱着機構と同様に,本研究では抗力計算法を用いたAlN(011)上のN_ad/N_surf脱着を調べた。はこのプロセスが自発的表面再構成を伴うN_surf空格子点を残す,成長中のファセット形成を強調したことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 脱着 ,  吸着エネルギー ,  薄膜 ,  結合部位 ,  *チタン ,  *吸着 ,  表面再構成 ,  *アルミニウム ,  モデリング ,  *窒化アルミニウム ,  密度汎関数法 ,  核形成 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  *吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： DFT計算 ,  TiAlN薄膜の成長 ,  吸着原子吸着 ,  拡散経路

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： 岩塩 ,  立方晶 ,  AlN ,  Ti ,  Al ,  吸着原子 ,  吸着 ,  拡散 ,  計算