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J-GLOBAL ID：201702238103621522   整理番号：17A1307654

積層上部グラフェンアノードを有する完全に透明な量子ドット発光ダイオード

Fully Transparent Quantum Dot Light-Emitting Diode with a Laminated Top Graphene Anode

著者 (10件)： YAO Li (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FANG Xin (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  GU Wei (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHAI Wenhao (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WAN Yi (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  XIE Xixi (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  XU Wanjin (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  PI Xiaodong (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  RAN Guangzhao (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  QIN Guogang (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 28  ページ： 24005-24010  発行年： 2017年07月19日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンを上部電極に用いた完全に透明な量子ドット発光ダイオード(T-QLED)を積層工程により製造した。ポリジメチルシロキサン/ポリエチレンテレフタレート(PDMS/PET)基板上に二層グラフェン(BG)を湿式法により転写した。PDMS/PET上でBGを3回移動させて,BGのシート抵抗を約540Ω/sqに低下させた。T-QLEDはガラス/酸化インジウム錫(ITO)/ZnOナノ粒子/(CdSSe/ZnS量子ドット(QD))/1,1-ビス[(ジ-4-トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(TAPC)/MoO₃/グラフェン/PDMS/PETの反転素子構造を有した。T-QLEDの透過率は622nm波長に対して79.4%であった。

シソーラス用語： グラフェン ,  アノード ,  *量子ドット ,  *発光ダイオード ,  透明材料 ,  ポリジメチルシロキサン ,  ポリエチレンテレフタレート ,  シート抵抗 ,  酸化インジウムスズ ,  酸化亜鉛 ,  ナノ粒子 ,  半導体薄膜 ,  硫化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  透過率 ,  Ramanスペクトル ,  エレクトロルミネセンス ,  発光スペクトル ,  *透明電極
準シソーラス用語： 二層グラフェン ,  光透過率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子ドット ,  発光ダイオード