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J-GLOBAL ID：201702238160818650   整理番号：17A1444719

2次元層状半導体材料の電子的および光電子デバイスの進歩【Powered by NICT】

Progress on Electronic and Optoelectronic Devices of 2D Layered Semiconducting Materials

著者 (15件)： Wang Feng (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Wang Feng (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Wang Zhenxing (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Jiang Chao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory for Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Yin Lei (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Yin Lei (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Cheng Ruiqing (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Cheng Ruiqing (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Zhan Xueying (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Xu Kai (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Xu Kai (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Wang Fengmei (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  Wang Fengmei (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Zhang Yu (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China) ,  He Jun (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 35  ページ： ROMBUNNO.201604298  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D層状半導体材料(2DLSMs)は,最も薄い半導体を示し,多くの新しい特性を,表面ダングリングボンド,大きなバンドギャップ,高い柔軟性,及び人工集合体の能力の欠如のような。エレクトロニクス及びオプトエレクトロニクス応用のための革新的機会をもたらす展望により,2DLSMsは,過去十二年間に繁栄した。デバイス応用への材料調製と特性調査から,2DLSMsは広く研究されて,大きな進歩を達成した。しかし,高性能デバイスのための大きな課題が残っている。本レビューでは,2DLSMsに基づくデバイス最適化における最近のブレークスルーについて簡潔な概要を与え,特に三つの側面:デバイス配置,チャネル材料の基本的性質,およびヘテロ構造に焦点を当てた。,すなわち,電気的接触,誘電体層,チャネル長,および基板,素子構造の影響を議論した。後,素子性能に及ぼす2DLSMsの基本的性質の影響をまとめ,結晶欠陥,結晶対称性,ドーピング及び厚さを含んでいる。最後に,2DLSMsに基づいたヘテロ構造に焦点を当てた。本レビューを通して,将来実用的なデバイス応用を達成するための2DLSMsの電子および光電子デバイスを改善するための指針を提供することを試みた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  柔軟性 ,  素子構造 ,  *半導体 ,  凝集体 ,  格子欠陥 ,  キャラクタリゼーション ,  ダングリングボンド ,  *半導体材料 ,  バンドギャップ ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： チャネル長 ,  ヘテロ構造 ,  材料調製 ,  *光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元層状材料 ,  電界効果トランジスタ ,  フォトトランジスタ ,  接触 ,  欠陥

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2次元 ,  層状 ,  半導体材料 ,  電子 ,  光電子デバイス