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J-GLOBAL ID：201702238192299732   整理番号：17A1447168

金属ハロゲン化ペロブスカイト発光ダイオードにおける最近の進歩【Powered by NICT】

Recent Advances in Metal Halide-Based Perovskite Light-Emitting Diodes

著者 (3件)： Kumawat Naresh K. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay Powai, Mumbai-, 400076, India) ,  Gupta Dhritiman (School of Advanced Sciences, Department of Physics, Vellore Institute of Technology, Vellore-, 632014, Tamil Nadu, India) ,  Kabra Dinesh (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay Powai, Mumbai-, 400076, India)
資料名： Energy Technology  (Energy Technology)
巻： 5  号： 10  ページ： 1734-1749  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2559A  ISSN： 2194-4288  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メタルペロブスカイト材料は溶液処理可能な析出法を用いて室温で処理できることを結晶半導体である。僅か数年でペロブスカイトベース太陽電池効率は3%から22.1%までの巨大な増加が見られた。これら直接バンドギャップ材料は,光検出器,発光トランジスタ,発光ダイオードのような他の光電子デバイスへの応用のための有望な候補である。本レビューでは,微結晶のサイズと光学的性質,デバイスアーキテクチャ,およびPeLED性能パラメータに及ぼすその効果に重点を置いた金属ハロゲン化物ペロブスカイト半導体に基づいたペロブスカイト発光ダイオード(PeLEDs)の研究と開発における現在の最新技術を提示した。小結晶粒寸法をもつ一様なピンホールのない形態である高速PeLEDsに必須である。この目的のために,p型ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)層を持つp-i-n型デバイスアーキテクチャは,n-i-p型よりも適していることが分かった。バルク相ペロブスカイトに基づくPeLEDsでは,微結晶の平均サイズは100 500nm範囲であった。効率は<100nmのサイズを有するペロブスカイト型ナノ粒子を用いてより改善できた。これらの材料から放出された光の色は広い範囲で調整,NIR(775 nm)からの近紫外(410 nm),ハロゲン化物イオンと混合ハロゲン化物型ペロブスカイト中のハロゲン化物イオン間の化学量論比を変えることにより簡単にできる。化学量論の変化も構造特性と最終膜形態,それは電荷キャリアの放射および非放射再結合速度,従ってデバイス性能に影響を及ぼすに影響する。さらに,ハイブリッドPeLEDsにおける努力を補完する無機ペロブスカイトナノ結晶に基づくPeLEDsにおける最近の発展を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造特性 ,  光検出器 ,  イオン ,  光学的性質 ,  ナノ粒子 ,  *ハロゲン化 ,  ハロゲン化物 ,  半導体 ,  *発光ダイオード ,  化学量論 ,  太陽電池 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  光電子デバイス ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 金属ハロゲン化物 ,  発光ダイオード ,  perovskites ,  光ルミネセンス ,  構造特性

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ハロゲン化 ,  ペロブスカイト ,  発光ダイオード