抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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初期半導体製造はしばしば半導体デバイスのハーメチックシールのための抵抗/プロジェクション溶接に依存し,デバイス全体の周辺は数ミリ秒持続する単一電流パルスで溶接した。初期では,デバイスシールの直径は約1/2インチ(12.mm)直径1/4インチ(6.3 mm)の順であった。これらの溶接部は,従来の中程度のパワーの抵抗溶接装置を用いて行うことができた。パッケージサイズが増加すると,より長いパッケージ溶接周辺を取り扱うために開発した大きい溶接装置。不幸にも,現在のプロジェクション溶接機は7.6cm(3.0in)を超える溶接の全周をもつパッケージを確実に密閉しない可能性がある。これば長いパッケージ周囲の長さ,溶接装置間の不適切なインピーダンス整合と溶接に必要な重要な溶接電流に起因する溶接過程は金属粒子を放出するパッケージに可能性がある。内部粒子の圧出はJESD72などJEDEC(電子デバイス技術合同協議会)文書に記載されている粒子ゲッタの添加により緩和されるかもしれない。しかしこれら粒子を避けることができるかどうかを溶接プロセスをより有用であろう。新しい技術は大きな電子パッケージをシール-パラレルシーム,TIGおよびレーザ溶接元の単一ショット溶接技術は最速であるが開発されてきたが,これまで開発された最低コストシーリングプロセス。大パッケージを溶接信頼できれば,この技術はハイスループット製造における大きな利点を持つであろう。零溶接散りと零溶接欠陥を有する25.4cmまで(10.0)溶接周辺の大きなパッケージを溶接信頼できる新しい低インピーダンスプロジェクション溶接装置を記述することにより,この必要性を説明する,従来機に必要な半分のエネルギーを用いた。この新しい溶接機は標準的な110V,15A電気コンセント,従来の外部母線と冷却のインフラコストを除去するで動作するが,溶接電流の>>120kaを供給する高磁束密度変圧器を使用した。添加では,機械と溶接電気インピーダンスは欠陥のない溶接を可能にするに十分に整合する場合に設計を検出することができた。このデバイスの市販版はゼロ顧客返品のある医療,通信,軍用電子パッケージを百万一以上を溶接した。データは様々な商用及び軍用密封電子パッケージのための溶接パラメータを提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
