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J-GLOBAL ID：201702238334583771   整理番号：17A1548187

G e x(B N)y単分子層の安定性と電子的性質【Powered by NICT】

Stability and electronic properties of G e x ( B N ) y monolayers

著者 (5件)： Freitas A. (Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Fisica, Caixa Postal 1641, 59072-970, Natal, RN, Brazil) ,  Machado L.D. (Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Fisica, Caixa Postal 1641, 59072-970, Natal, RN, Brazil) ,  Tromer R.M. (Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Fisica, Caixa Postal 1641, 59072-970, Natal, RN, Brazil) ,  Bezerra C.G. (Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Departamento de Fisica, Caixa Postal 1641, 59072-970, Natal, RN, Brazil) ,  Azevedo S. (Universidade Federal da Paraiba, Departamento de Fisica, CCEN, Caixa Postal 5008, 58051-970, Joao Pessoa, PB, Brazil)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 110  ページ： 281-288  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,化学量論Ge x(B N)yと単分子層の新しいクラスを提案するab initioシミュレーションを採用した。これらの単分子層はB,NおよびIV族原子を組み合わせた2D材料のファミリーに属し,BxCyNzとSi B N zである。十原子配列の生成エネルギーを計算し,BGeとNGe結合の数が増加すると増加し,BN及びGeGe結合の数が増加すると減少することが分かった。最低エネルギー単分子層はGe2B N化学量論を示し,BN及びGeGe結合の数を最大化することを見出した。この構造はまた,混合S2とs P3結合と面外座屈を示した。さらに,T=300で行ったab initio分子動力学シミュレーションで安定していた。計算された電子特性はGe x(B N)y単分子層は,導体や半導体挙動を示し,0.0~0.74eVの範囲のバンドギャップをもつ,原子配列に依存することを明らかにした。バンドギャップの調整可能な値は応用に有用である。オプトエレクトロニクスでは,例えば,この特性は吸収光波長を制御するために使用される可能性がある。著者らの計算は,2D材料の増加図書館への新しいクラスの単分子層を加えた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  オプトエレクトロニクス ,  導体 ,  *単分子層 ,  半導体 ,  化学量論 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション ,  面外座屈 ,  形成エネルギー ,  原子配列 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  安定性 ,  電子 ,  性質