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J-GLOBAL ID：201702238389536719   整理番号：17A1427293

実時間制御システムにおける電圧しきい値をもつメモリスタの読み書きモードのためのエネルギー消費解析【Powered by NICT】

Energy consumption analysis for the read and write mode of the memristor with voltage threshold in the real-time control system

著者 (4件)： Liu Jun (School of Engineering and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Li Tianshu (College of Electronics and Information, Engineering, Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Duan Shukai (College of Electronics and Information, Engineering, Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Wang Lidan (College of Electronics and Information, Engineering, Southwest University, Chongqing 400715, China)
資料名： Neurocomputing  (Neurocomputing)
巻： 266  ページ： 477-484  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0360A  ISSN： 0925-2312  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,実時間制御(RTCS)に適応した電圧しきい値制御システム(MVTCSと略す)を用いたメムリスタのハードウェアの回路は,抵抗記憶素子神経形態回路の重み修正プロセスに基づいて設計した。新しい強制消去モード,と呼ぶせず,高電圧書込(NR半値幅と略す)を,再生過程の必要性を除去し,メモリスタに書込みプロセスを行うために提案した。低電圧と高電圧書込み(LVR半値幅と略記)と高電圧読み出しと高電圧書込み(HVR半値幅と略記)モードを結合し,エネルギー消費の観点から三読取と書込モードの利点と欠点を比較し,解析した。数値シミュレーション技術は,先に提案した設計を検証するために使用し,シミュレーション結果は,LVR半値幅モードが最低エネルギー消費を持つことを示し,HVR半値幅モードが二,NR半値幅モードは最高であった。しかし,NR半値幅モードは試験装置を用いることなくRTCSの高精度の要求を満たすことができる。本論文の研究は,RTCSの電圧しきい値(MVT)とメムリスタの適用のためのいくつかの技術的支援を提供すると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 試験装置 ,  *エネルギー消費 ,  *制御系 ,  半値幅 ,  *電圧 ,  シミュレーション ,  ハードウェア
準シソーラス用語： 高精度 ,  数値シミュレーション ,  読出し ,  低電圧 ,  神経 ,  抵抗メモリ ,  *メモリスタ ,  *実時間制御 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電圧しきい値をもつメモリスタ ,  読み書きモード ,  エネルギー消費 ,  実時間制御システム

分類 (1件)： ニューロコンピュータ  (JC06010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 実時間制御 ,  電圧しきい値 ,  メモリスタ ,  読み書き ,  エネルギー消費 ,  解析