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J-GLOBAL ID：201702238468726800   整理番号：17A1250308

二次元材料のFET:WSe_2トランジスタの4端子抵抗測定によるチャネルと接触特性のデコンボリューション【Powered by NICT】

FETs on 2-D Materials: Deconvolution of the Channel and Contact Characteristics by Four-Terminal Resistance Measurements on WSe₂ Transistors

著者 (5件)： Sutar Surajit (Materials Science Department, University of Leuven, Leuven, Belgium) ,  Asselberghs Inge (imec, Leuven, Belgium) ,  Lin Dennis H. C. (imec, Leuven, Belgium) ,  Thean Aaron Voon-Yew (imec, Leuven, Belgium) ,  Radu Iuliana (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 7  ページ： 2970-2976  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的には接触で縮退したドーピングなし,2次元半導体上に作製したFETは,有意なSchottky接合(SJ)抵抗,トランジスタ解析を複雑にした。WSe_2FET上の四端子(4 T)抵抗測定による2D材料FET特性に及ぼす接触抵抗の影響,チャネルを研究可能にし,特性を接触別々にを評価した。接触抵抗のnonnegligibilityを別にして,本論文では,一般的に観察される現象のより微細な理解を可能にし,誘電体カプセル化によるトランジスタ性能の改善は,チャネルより接触に強い影響をもつことが観察されるような順方向バイアスSJの抵抗は無視できないが,逆バイアス接合のそれと同等であることが観察された;「バイアス」と呼ばれる一般的にバイアスでWSe_2FET抵抗は接触によって支配されている。ピンチオフは相対的に低い電流レベルで観察され,チャネル接触抵抗比よりもそれらの大きさに関連していることができる。真のチャネルピンチオフを検証できるデバイスでは,相関はドレイン-ソースバイアス極性,二次元材料における標準FET出力特性の解釈に向けた指針として役立つ可能性があることを特徴に関して出力特性における電流飽和挙動と非対称性の中間領域において出現する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  *チャネル ,  極性 ,  *二次元 ,  *デコンボリューション ,  接触抵抗 ,  *トランジスタ ,  ピンチオフ ,  非対称性 ,  誘電体 ,  電流 ,  半導体
準シソーラス用語： 出力特性 ,  Schottky接合 ,  *抵抗測定 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 二次元材料 ,  FET ,  トランジスタ ,  抵抗測定 ,  チャネル ,  デコンボリューション