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J-GLOBAL ID：201702238489192099   整理番号：17A1548173

0バンドギャップ二重ゲートシリセン電界効果トランジスタにおける電流飽和とキンク効果【Powered by NICT】

Current saturation and kink effect in zero-bandgap double-gate silicene field-effect transistors

著者 (2件)： Patel Nishant (School of VLSI Design and Embedded Systems, National Institute of Technology, Kurukshetra, India) ,  Choudhary Sudhanshu (School of VLSI Design and Embedded Systems, National Institute of Technology, Kurukshetra, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 110  ページ： 155-161  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲートシリセン電界効果トランジスタを,密度汎関数理論(DFT)および非平衡Green関数(NEGF)形式を用いて調べた。結果はゲートバイアスの増加に伴い,バンドギャップは素子電流の減少をもたらすシリセンに導入したことを示唆した。シリセンバンドギャップの増加もチャネル長の減少に関連している。ドレインソース電流(I_DS)には電源電圧(V_DS)にドレインを増加させると飽和することが観測された。飽和領域を超えたV_DSを増加させると,V_DSのいくつかの値でのキンク効果は両極性チャネルによるドレイン端におけるキャリアの型のスイッチングに起因し見られた。相互コンダクタンス(g_m)はチャネル長の減少とともに減少するが,g_mは良好なゲート制御性に起因する還元された酸化物厚さと改善された。出力特性は,酸化物の厚みに伴って大きく変化しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  密度汎関数法 ,  *バンドギャップ ,  チャネル ,  *電流 ,  酸化物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *キンク
準シソーラス用語： 出力特性 ,  両極性 ,  チャネル長 ,  ゲートバイアス ,  非平衡Green関数 ,  *シリセン ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 両極性 ,  密度汎関数理論(DFT) ,  キンク効果 ,  非平衡Green関数(NEGF) ,  シリセン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンドギャップ ,  二重ゲート ,  シリセン ,  電界効果トランジスタ ,  飽和 ,  キンク