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J-GLOBAL ID:201702238523321070   整理番号:17A1114191

半導体中の空間電荷成層のモデルにおける爆発現象:解析的および数値的解析【Powered by NICT】

Blow-up phenomena in the model of a space charge stratification in semiconductors: analytical and numerical analysis
著者 (4件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 2336-2346  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2677A  ISSN: 0170-4214  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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指数非線形性,古典的および非古典的境界条件を持つSobolev方程式のための初期境界値問題を考察した。このモデル,結晶半導体中のプロセスを記述するために,吹上げ式現象について研究した。十分なブローアップ条件とブローアップ時間は,テスト関数の方法によって解析した。この分析は事前情報を数値実験,溶液の爆発の過程をより正確に決定することができるに使用されている。モデル導出と局所可解性と一意性のいくつかの問題についても考察した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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数値計算  ,  岩盤の力学的性質  ,  梁,桁 

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