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J-GLOBAL ID:201702238541091026   整理番号:17A0502827

太陽電池用バッファ層としての硫化亜鉛薄膜のポストアニーリング処理

Post annealing treatment of zinc sulphide thin film as a buffer layer for solar cell application
著者 (3件):
資料名:
巻: 33  号: 3/4  ページ: 299-304  発行年: 2017年04月 
JST資料番号: A0614C  ISSN: 0267-0844  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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太陽電池のバッファ層に用いる材料には,大きなエネルギーバンドギャップ,格子不整合および適切なドーピング密度が必要である。CdSは全ての条件を満足しているが,毒性のため環境衛生や安全性への影響が問題であるため,その代替材料としてZnSが有望である。本研究では,化学浴堆積(CBD)法とポストアニーリングによりZnS薄膜を作製し,アニーリング温度と特性の関連性について検討した。堆積ままZnSは非晶質であるが,アニーリングにより結晶化して300°Cで(111)方向に優先配向した閃亜鉛鉱型結晶構造の均一粒になった。アニーリング温度は結晶性,表面性状および光学的性質に影響を及ぼした。300°Cでアニーリングしたとき,最適な範囲のエネルギーバンドギャップが得られた。
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分類 (1件):
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太陽電池 
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