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J-GLOBAL ID：201702238551346947   整理番号：17A1560453

窒素とほう素をドープした中空グラフェンフレークの電子構造調整とバンドギャップの開き:単一/二重ドーピングの役割【Powered by NICT】

Electronic structure tuning and band gap opening of nitrogen and boron doped holey graphene flake: The role of single/dual doping

著者 (1件)： Omidvar Akbar (Young Researchers and Elite Club, Lahijan Branch, Islamic Azad University, Lahijan, Iran)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 202  ページ： 258-265  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンのバンドギャップを開くグラフェン研究における現在最も重要な課題の一つであり,電界効果トランジスタおよび光電子デバイスにおけるグラフェンのための示唆された応用の多くはそのバンドギャップを調整する能力を必要とするからである。この問題を解決するために,新しいグラフェン様ナノ材料,すなわち窒素化された穴のあるグラフェンは最近,簡単な湿式化学反応(Nat.Commun.2015、6、6486)を用いて合成した。本実験研究に触発されて,本研究では,零次元(0D)中空グラフェンフレークの構造と電子特性を,第一原理計算を用いて調べた。密度汎関数理論の枠内で,穴あきグラフェンフレークの構造,安定性及び電子的性質に及ぼすドープした原子(窒素とホウ素)の数の影響を解析した。著者らの調査では,元のの安定性だけでなく,バンドギャップエネルギーのスタッディングと同様と考えられフレークの凝集エネルギー,化学的硬さ,高硬度,求電子性指数,および双極子モーメント値によるドープおよび共ドープされた穴のあるグラフェンフレークを調べた。本研究は,ホーリーグラフェンを操作し,電界効果トランジスタと光電子デバイスへの応用のための有望な材料を開発するための道を開くものである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  双極子モーメント ,  密度汎関数法 ,  *グラフェン ,  化学反応 ,  *電子構造 ,  FET【トランジスタ】 ,  *窒素 ,  *バンドギャップ ,  硬度 ,  *フレーク ,  *ホウ素 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 多孔グラフェン ,  バンドギャップ開口 ,  共ドーピング ,  化学硬度 ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (10件)： 窒素 ,  ほう素 ,  ドープ ,  中空 ,  グラフェン ,  フレーク ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  ドーピング ,  役割