文献

J-GLOBAL ID：201702238653965700   整理番号：17A1076837

誘電体層のモルフォロジを変えることによる縦型有機電界効果トランジスタ(VOFET)の動作電圧改善

Improving the operational voltage of vertical organic field effect transistor (VOFET) by altering the morphology of dielectric layer

著者 (8件)： HALIZAN Muhammad Zharfan Mohd (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  ROSLAN Nur Adilah (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  ABDULLAH Shahino Mah (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  ABDULLAH Shahino Mah (Jalan Ilmu, Off Jalan Universiti, Kuala Lumpur, MYS) ,  HALIM Nurain Abdul (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  VELAYUTHAM Thamil Selvi (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  WOON Kai Lin (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  SUPANGAT Azzuliani (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 16  ページ： 11961-11968  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VOFETの重要構成要素の一つがゲート誘電体層であり,本研究ではポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン)〔P(VDF-TrFE)〕75/25を3D VOFETの誘電体層に使った。誘電体層はポーラスとノンポーラスの二つのモルフォロジのものを作った。テンプレートとP(VDF-TrFE)の間でレプリケートプロセスが生じるように,ポーラスアルミナテンプレートを使用した。二種類のVOFET,一つはポーラス絶縁層で他はノンポーラス絶縁層のものを制作して比較した。ポーラスでないVOFETはドレインソース電圧(V_DS)25Vで3.5×10^-4Aの電流が得られ,ターンオン電圧は10Vである。一方,ポーラスでのVOFETはV_DS25Vで2.0×10^-3Aでありターンオン電圧は7Vであった。

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  膜 ,  *モルフォロジー ,  電圧 ,  型枠 ,  板 ,  複製 ,  アルミナ ,  多孔質体 ,  エネルギー準位 ,  電流電圧特性 ,  *ゲート絶縁膜 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  オレフィン化合物
準シソーラス用語： テンプレート【型板】 ,  ポーラスアルミナ ,  レプリケーション ,  OFET ,  *動作電圧 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  誘電体膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： トリフルオロエチレン ,  フッ化ビニリデン

タイトルに関連する用語 (4件)： モルフォロジ ,  縦型 ,  有機電界効果トランジスタ ,  動作電圧