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J-GLOBAL ID:201702238668038970   整理番号:17A0118692

THzトモグラフィーとレーザ三角測量によるシリコン薄ウエハ反りの非接触測定【Powered by NICT】

Non-contact measurement of silicon thin wafer warpage by THz tomography and laser triangulation
著者 (4件):
資料名:
巻: 2016  号: SENSORS  ページ: 1-3  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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(シリコン)薄いウエハの三次元変形を測定するための非接触センシングの概念を検討した。異なる荷重条件下での変形形状は重要な測定であり,直接ウエハにおける内部機械的応力に相関し,薄いウエハの取扱を含む製造プロセスのインラインプロセス制御のために重要である。時間領域THzトモグラフィーとレーザ三角測量の両方を研究し,その結果を異なる厚さ,層構造と加工履歴のウエハの変形形状を予測するために用いてFEMシミュレーションモデルを検証するために使用することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器 

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