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J-GLOBAL ID：201702238726342888   整理番号：17A1276723

モノリシック圧電窒化アルミニウムMEMS-CMOSマイクロホン【Powered by NICT】

Monolithic piezoelectric Aluminum Nitride MEMS-CMOS microphone

著者 (7件)： Segovia-Fernandez J. (University of California, Davis, USA) ,  Sonmezoglu S. (University of California, Davis, USA) ,  Block S. T. (University of California, Davis, USA) ,  Kusano Y. (University of California, Davis, USA) ,  Tsai J. M. (InvenSense, Inc., USA) ,  Amirtharajah R. (University of California, Davis, USA) ,  Horsley D. A. (University of California, Davis, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TRANSDUCERS  ページ： 414-417  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高感度,低電力応用のためのモノリシック圧電窒化アルミニウム(AlN)MEMSマイクロホンを提示した。電流-電圧変換のためのCMOSバッファに直接結合していることをMEMSマイクロフォンは,円形AlN SiO2ユニモルフ膜から構成されている。半径,パッケージ寸法,電極配置は,MEMS感度を最大にするために最適化した。集積デバイスは,MEMSマイクロホンへの0.18μm CMOSバッファのウエハスケール共晶接合により作製した。本研究では,圧電マイクロフォンは,1μm厚のAlNと1μm厚のSiO2層によって形成され,0.68mV/Paの平均非共鳴感度,11.2kHzの共振周波数,および0.03μV/√Hzの雑音を提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  *CMOS ,  雑音 ,  電流 ,  *圧電気 ,  共晶 ,  *マイクロホン ,  *窒化アルミニウム ,  共鳴 ,  高感度 ,  *MEMS ,  共振周波数 ,  電力応用
準シソーラス用語： 電極配置 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： オーディオ機器  (NC06010U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧電 ,  窒化アルミニウム ,  MEMS ,  CMOS ,  マイクロホン