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J-GLOBAL ID：201702238748625540   整理番号：17A0900344

単軸引張歪下にあるSiドープSW-BNNTの電子特性とNOガス感度の調査

Exploring electronic properties and NO gas sensitivity of Si-doped SW-BNNTs under axial tensile strain

著者 (3件)： ROOHI Hossein (Univ. Guilan, Rasht, IRN) ,  MALEKI Layla (Univ. Guilan, Rasht, IRN) ,  MORADZADEH Maryam Erfani (Univ. Guilan, Rasht, IRN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 16  ページ： 9739-9763  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論を用いて,単軸引張歪下にある単層BNナノチューブ(SW-BNNT)の特性に及ぼすSiドーピングStone-Wales欠陥の効果を調べた。SiドープStone-Wales欠陥SW-BNNTの計算した結合エネルギーは,ドープなしのSW-BNNTよりも小さいことがわかった。SiドープSW-BNNTの安定性の順序は一般に, B₃₆N₃₅SiH₁₂(Si_N)>B₃₅N₃₆SiH₁₂(Si_B)>B₃₅N₃₅Si₂H₁₂(Si_N,B)である。引張歪下ではこれらのNTの形成エネルギーは増大する。SiドープSW-BNNTの各種の特性値を計算した。引張歪によりバンドギャップエネルギーはSi_BとSi_Nでは減少するが,Si_N,Bではほとんど変化がない。また,SiドープSW-BNNTのNOガスに対する感度を調べ,これがNOガス分子検出器用に有望であることが結論された。

シソーラス用語： 引張 ,  *ナノチューブ ,  単一層 ,  *電子構造 ,  一酸化窒素 ,  ガス検出器 ,  密度汎関数法 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  格子欠陥 ,  エネルギー ,  バンドギャップ ,  感度 ,  能力 ,  添加物効果 ,  歪測定 ,  性能評価 ,  歪 ,  *窒化ホウ素
準シソーラス用語： Stone-Wales欠陥 ,  バンドギャップエネルギー ,  引張歪 ,  検出感度 ,  *単層ナノチューブ ,  *窒化ホウ素ナノチューブ

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 単軸 ,  引張歪 ,  Si ,  ドープ ,  BNNT ,  電子 ,  NO ,  ガス感度 ,  調査