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J-GLOBAL ID:201702238833398036   整理番号:17A1457343

分子めっきによって作製した濃縮ガドリニウム標的膜の重イオンビーム誘起効果【Powered by NICT】

Heavy-ion beam induced effects in enriched gadolinium target films prepared by molecular plating
著者 (7件):
資料名:
巻: 407  ページ: 256-264  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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濃縮ガドリニウム(Gd, Z=64)ターゲットのシリーズは,テキサスA&M大学サイクロトロン研究所での核物理学実験のための分子めっきプロセスを用いて調製した。E_cot=3.8 4 7MeV/uの中心の標的エネルギーで~48Caと~45Sc入射粒子を用いた照射後,分子膜は目に見える変色を示した。膜の形態を調べ,インタクトなターゲット表面と比較した。薄膜を走査型電子顕微鏡とα粒子エネルギー損失測定により同定された重イオンビーム誘起密度変化を受けた。膜はより薄く,より均一になり,照射の初期に変換された。この変換は元の膜の構造秩序の原子変位と破壊によって誘起された結晶から非晶質への相転移として最もよく記述される。薄膜の化学組成をエネルギー分散分光法およびX線回折を用いて調べ,その結果他の文献における以前注目された分子膜の複雑な化学を確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  放射線高分子化学 

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